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产品常识

远拓机电中频感应加热设备的发展趋势?

远拓机电 人气:368 发表时间:2020-03-19 10:33:48

中频感应加热设备的发展趋势如下

  1.主电路功率开关器件的自关断化、模块化、集成化、智能化;开关频率不断提高。开关损耗进一步降低。

  2.对低压小容量的装置常采用6脉波整流器;而对中压大容量的装置采用12脉波、24脉波整流器,降低对电源系统的谐波干扰,以及对周围电子设备的电磁辐射干扰。

  3.微处理器的进行使数字控制成为此刻控制器的发展方向。近几年来,我国及国外各大企业纷纷推出以DSP为基础的内核,配以所需的外围功能电路,集成在单一芯片内的称为DSP单片控制器,价格大大降低,体积缩小,结构紧凑,使用便捷,可靠性提高,DSP和普通的单片机相比,处理数字运算能力增强10~15倍,可确保系统有更优越的控制性能。数字控制使硬件简化,各种智能控制算法将会使控制性能得到很大的提高,可实现复杂控制规律,使现代控制理论在控制系统中应用成为现实,易于与上层系统连接进行数据传输,便于故障诊断、加强保护和监视功能,从而提高系统的智能化水平。

  4.中频感应加热设备的大容量化技术,从电路的角度来考察可以分为两大类;一类是器件的串、并联,另一类是多台电源的并联。在器件的串、并联方式中,必须当真处理串联器件的均压问题和并联器件的均流问题。由于器件制造工艺和参数的离散性,限制了器件的串、并联数目,且串、并联数越多,装置的可靠性越差。MOSFETIGBT电源有重叠部分,由于MOSFET是多载流子器件,不存在存储时间,因此它的开关时间远小于IGBT;另外,MOS-FET不存在二次击穿问题,具有矩形安全区,驱动功率小,易并联等优点,非常适合于高频大功率感应加热电源。采用MOSFET可能引起的问题是,由于它是高速开关则对布线要求苛刻,而高压MOSFET的通态损耗较大在相同频率下尽量选用IGBT

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